Technische Daten Reinraum

Mikrosystemtechnik am HSG-IMIT:

1. Technische Daten

Reinraumklasse: 10 bis 1.000 (im Service- bzw. Graubereich 10.000)
Fläche:   600 m² (davon 250 m² Weißbereich)
Luftumsatz:  90.000 m³/h Luftumsatz, davon ca. 20.000 m³ Frischluft
Wasseraufbereitung: 1 m³/h DI-Wasseraufbereitung
Kapazität:  10.000 Wafer/Jahr (einschichtig)
Wafergröße:  100 mm (Standard) bis 150 mm

2. Verfügbare technologische Prozesse

Photolithographie:
- Manuelle und automatische Spin On-Belackung/Entwicklung
- Sprühbelackung
- 1:1-Belichtung mit maximaler Standardauflösung von 2 µm
- Verwendete Materialien: AZ-Lacke, SU-8, Polyimide

Thermische und CVD-Prozesse (Chemical Vapour Deposition):
- Feucht- und Trockenoxidation
- p- und n-Diffusion
- LPCVD-Prozesse (Si3N4, SiO2, Poly-Si)
- PECVD-Prozesse (Si3N4, SiO2)
- Parylene-Abscheidung

PVD-Prozesse (Physical Vapour Deposition):
- Sputtern (Metalle, SiO2, Pyrex)
- Aufdampfen (Metalle)

Naßchemie:
- KOH-Ätzung (anisotrope Silizium-Strukturierung)
- Ätzen verschiedener Schichten (u.a. Metalle, Si3N4, SiO2, Poly-Si)

Trockenätzen:
- RIE-Prozesse (Si3N4, SiO2)
- Si-DRIE (anisotropes und isotropes Silizium-Tiefenätzen)

Waferbonden:
- anodisches Bonden
- Glaslotbonden
- Fusionbonden

Aufbau– und Verbindungstechnik:
- Wafersägen
- Drahtbonden
- Reflow-Löten
- Laser-Löten
- Kleben